我们已经实现了对 B 的高灵敏度分析，B 用于通用存储器和磁头等磁性材料。 如果使用 FP 方法，也可以同时分析薄膜厚度和成分。

能够分析超薄膜

在 MRAM 中的重要材料 MgO 薄膜中，可以高精度地区分 0.1 nm 的薄膜厚度差异。 未来，预计薄膜将变薄至约 0.5 nm，但 AZX 400 可用于充分分析。

多层薄膜分析

AZX 400 能够使用 FP 方法对多达 10 层层压薄膜进行全层分析。 在 STT-MRAM 的情况下，除了 MgO 和 CoFeB 的重要膜外，还可以在单个配方中分析 Ta、Ru、PtMn 等。

使用灵敏度库进行无标样分析

对于标准品制备困难的应用，使用 SQX 软件（可选）进行半定量分析非常有用。 由于还考虑了晶圆分析特有的干涉衍射线的影响，并且可以选择多个光谱，因此可分析的薄膜厚度比以前宽了一个数量级。

兼容各种样品形状，从大样品到切割晶圆

使用大型样品室可容纳*大 φ400 mm × 50 （H） mm（*大重量 30 kg）的样品尺寸。 适配器适用于各种样品形状。 从 300mm 晶圆的大型溅射靶材到切割晶圆，我们都可以用一个单元灵活地处理它们。

晶圆装载机的自动输送（新）

从 300 mm FOUP 到 100 mm 开口包埋盒（可选）。 可以进行全自动分析，例如在夜间进行分析，从而提高分析工作的效率。

配备 CCD 摄像头，用于样品观察

CCD 相机（可选）可以测量对准异物和图案的点。 可以在查看图像时设置*小直径为 φ0.5 mm 的任何测量点。 面内分布测量可在一次测量中执行多达 999 个点。 结合高精度样品台，可实现 0.1 mm 步长的分析。

由经过验证的软件提供支持

基于其他型号采用并已在数百台设备上使用的软件，它实现了多种用户友好的功能。

SEMI 标准品收购

它是 SEMI 认证的仪器，为**半导体制造应用设定了标准。

AZX 400 应用

・溅射靶材成分
和绝缘膜：SiO2、BPSG、PSG、AsSG、Si₃N₄、SiOF、SiON等
高介电常数和铁电薄膜：PZT、BST、SBT、Ta₂O₅、HfSiOx
・金属薄膜：Al-Cu-Si、W、TiW、Co、TiN、TaN、Ta-Al、Ir、Pt、Ru、Au、Ni 等。
・电极薄膜：掺杂多晶硅（掺杂剂：B、N、O、P、As）、非晶硅、WSix、Pt 等。
其他掺杂薄膜（As、P）、捕获惰性气体（Ne、Ar、Kr 等）、C （DLC）、
铁电薄膜、FRAM、MRAM、GMR、TMR。 PCM、GST、GeTe
、焊点的组成：SnAg、SnAgCuNi
、MEMS：ZnO、AlN、PZT、SAW 器件的厚度和组成
工艺：AlN、ZnO、ZnS、SiO ₃（压电薄膜）的厚度和组成 Al、AlCu、AlSc、AlTi（电极膜）