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一、全域扫描,二维分布成像
与传统的单点椭偏仪不同,ME 系列通过高速扫描测绘,可一次性获取整片基板(*大12英寸晶圆)的膜厚与折射率二维分布云图,直观呈现全域均匀性。从“点”到“面”的评估方式,可快速定位镀膜不均、局部缺陷与边缘漂移。
二、光子晶体偏振传感,免旋转机构
设备采用自研的 PCA 光子晶体偏振阵列传感技术,无需传统椭偏仪的偏振滤光片和旋转机械部件,硬件更小巧轻量,同时从根本上杜绝了机械旋转带来的磨损与误差,长期测量稳定性优异。
三、亚纳米级重复精度
膜厚测量重复精度高达 σ < 0.1 nm,折射率重复精度达 0.001(以硅基底上约100nm的SiO₂膜为参照)。无论是极薄的原生氧化层还是光刻胶膜,均可实现高灵敏度检测。
四、三档可调测量光斑,兼顾宏微
通过变焦功能,提供三种测量模式:
-
宽域模式:光斑 □0.55 mm,适用于快速全域概览;
-
普通模式:光斑 □55 μm,适用于常规工艺评估;
-
高精度模式:光斑 □5.5 μm,可解析微米级微小区域的膜层参数,精准识别微观缺陷。
五、极速测量,效率**
宽域模式扫描速度达 900~1000 点/分钟,高精度模式*高可达 132,000 点/分钟。8英寸晶圆整面测绘*快仅需 3 分钟,大幅提升研发与产线质检效率。
六、支持透明基板与极薄膜检测
选配 -T 版本后,可直接用于玻璃等透明基板上的薄膜检测,解决了传统椭偏仪在透明基底上测量困难的痛点,尤其适用于显示面板、光学镀膜等场景。
七、全自动与产线集成能力
支持自动 XY 扫描载物台,放置样品后自动完成测绘。可选配SMIF 晶圆盒对接组件,实现自动开闭盖与传输,满足半导体产线全自动化测量需求。
八、立式机柜一体化设计
整机为立式机柜一体化结构,集成配套工控机与高刚性样品台,结构稳固,可兼容不同尺寸与厚度的样品,既适合实验室研发评测,也适配生产现场的环境。
九、智能软件与多维度分析
配套专业分析软件,支持:
-
膜厚/折射率二维云图可视化展示;
-
统计分析(平均值、标准偏差)、多组样品比对;
-
缺陷点位标记、检测报告生成与归档;
-
膜层模拟仿真功能,可对比实测数据与仿真模型,辅助工艺优化。
十、适用场景广泛
覆盖半导体氧化膜、光刻胶薄膜、光学镀膜、蓝宝石基板、显示盖板玻璃等多种样品,可开展晶圆来料品质筛查、镀膜工艺验证、膜层均匀性评估、微小区域膜层缺陷解析等工作,是材料研发与量产质控的重要工具
