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产品详情
简单介绍:
AZX 400 是可测量半导体薄膜的波长色散 X 射线荧光光谱仪 (WDX) 的**型号。通过采用具有高信噪比和高分辨率的WDX方法,与能量色散X射线荧光分析(EDX)方法相比,可以实现高精度的分析。一台设备涵盖了从Be到U的所有元素,包括作为半导体材料很重要的B、C、N和O。可测量φ50mm至φ300mm晶圆、芯片、切割晶圆等各种样品。此外,通过将其与晶圆装载机相结合,单个装置可用于从研究和开发到质量控制的多种情况。
详情介绍:
用于薄膜评估的荧光 X 射线分析仪
一个单元涵盖了从Be到U的所有元素,包括作为半导体材料很重要的B、C、N和O。
波长色散X射线荧光光谱仪(WDX)的**型号
采用具有高信噪比和高分辨率的WDX,与能量色散X射线荧光光谱仪(EDX)相比,可实现高精度分析。 。使用高功率X射线管和专门为超轻元素设计的分光晶体,可以测量B、C、N和O等超轻元素,这是EDX无法实现的。此外,即使是由于Si的影响而难以用EDX分析的超薄Al膜,也可以使用高分辨率的WDX清晰地分离出峰。
够测量超轻元素
我们已经实现了B的高灵敏度分析,B用于通用存储器和磁头等磁性材料。使用FP法,还可以同时分析膜厚和成分。
可进行超薄膜分析
MRAM 的重要材料 MgO 膜中,可以高精度地区分 0.1 nm 的膜厚差异。预计未来薄膜将变薄至 0.5 nm 左右,但 AZX 400 将能够进行足够的分析。
多层薄膜分析
AZX 400 使用 FP 方法对*多 10 层的层压薄膜进行全层分析。利用 STT-MRAM,可以在一种配方中分析 MgO 和 CoFeB 等重要薄膜以及 Ta、Ru、PtMn 等。
使用灵敏度库进行无标准分析
使用 SQX 软件(可选)进行半定量分析对于难以制备标准样品的应用非常有效。考虑到晶圆分析特有的干扰衍射线的影响,并且可以选择多个光谱,从而可以分析比传统方法宽一个数量级的膜厚。
兼容各种样品形状,从大型样品到切割晶圆,
大型样品室可支持*大 φ400mm x 50(H)mm 的样品尺寸(*大重量 30kg)。为了适应各种样品形状,我们提供适合样品的适配器。从300mm晶圆的大型溅射靶材到晶圆切割,一台机器即可灵活处理。
带晶圆装载机的自动传输(新功能)
可从 300mm FOUP 到 100mm 开放式晶圆盒(可选)。可以在夜间等进行全自动分析,提高分析工作的效率。
配备用于样品观察的 CCD 相机
CCD 相机(可选)可以测量异物、图案等。您可以在查看图像时设置*小直径为 0.5 mm 的任意测量点。面内分布测量一次*多支持 999 个点。此外,结合高精度样品台,实现了0.1mm步长的分析。
一个单元涵盖了从Be到U的所有元素,包括作为半导体材料很重要的B、C、N和O。
波长色散X射线荧光光谱仪(WDX)的**型号
采用具有高信噪比和高分辨率的WDX,与能量色散X射线荧光光谱仪(EDX)相比,可实现高精度分析。 。使用高功率X射线管和专门为超轻元素设计的分光晶体,可以测量B、C、N和O等超轻元素,这是EDX无法实现的。此外,即使是由于Si的影响而难以用EDX分析的超薄Al膜,也可以使用高分辨率的WDX清晰地分离出峰。
够测量超轻元素
我们已经实现了B的高灵敏度分析,B用于通用存储器和磁头等磁性材料。使用FP法,还可以同时分析膜厚和成分。
可进行超薄膜分析
MRAM 的重要材料 MgO 膜中,可以高精度地区分 0.1 nm 的膜厚差异。预计未来薄膜将变薄至 0.5 nm 左右,但 AZX 400 将能够进行足够的分析。
多层薄膜分析
AZX 400 使用 FP 方法对*多 10 层的层压薄膜进行全层分析。利用 STT-MRAM,可以在一种配方中分析 MgO 和 CoFeB 等重要薄膜以及 Ta、Ru、PtMn 等。
使用灵敏度库进行无标准分析
使用 SQX 软件(可选)进行半定量分析对于难以制备标准样品的应用非常有效。考虑到晶圆分析特有的干扰衍射线的影响,并且可以选择多个光谱,从而可以分析比传统方法宽一个数量级的膜厚。
兼容各种样品形状,从大型样品到切割晶圆,
大型样品室可支持*大 φ400mm x 50(H)mm 的样品尺寸(*大重量 30kg)。为了适应各种样品形状,我们提供适合样品的适配器。从300mm晶圆的大型溅射靶材到晶圆切割,一台机器即可灵活处理。
带晶圆装载机的自动传输(新功能)
可从 300mm FOUP 到 100mm 开放式晶圆盒(可选)。可以在夜间等进行全自动分析,提高分析工作的效率。
配备用于样品观察的 CCD 相机
CCD 相机(可选)可以测量异物、图案等。您可以在查看图像时设置*小直径为 0.5 mm 的任意测量点。面内分布测量一次*多支持 999 个点。此外,结合高精度样品台,实现了0.1mm步长的分析。
产品名称 | AZX400 | |
---|---|---|
方法 | 扫描波长色散 X 射线荧光分析 (WDXRF) | |
目的 | φ50mm至φ300mm晶圆、芯片、切割晶圆等所有样品的膜厚和成分分析 | |
技术 | 一个单元涵盖了从Be到U的所有元素,包括作为半导体材料很重要的B、C、N和O。 | |
主要成分 | 4 kW 封闭式 X 射线管、扫描测角仪、初级 X 射线滤光片、φ 30、20、10、1、0.5 mm 视场限制装置 | |
选项 | 晶圆装载机、SQX 软件、CCD 相机 | |
控制(超频) | 外部 PC、MS Windows® 操作系统、用于同时进行膜厚度和成分分析的标准软件 | |
机身尺寸 | 1376(宽)x 1710(高)x 890(深)毫米 | |
重量 | 约800公斤(本体) | |
电源 | 三相 200 VAC 50/60 Hz,50A |
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