产品名称：RIGAKU日本理学 反射荧光X射线分析仪

采用载物台驱动系统，消除晶圆衍射X射线的干扰。可以进行准确且高精度的污染物元素分析。搭载可进行晶圆表面内的高速污染映射测量的“Sweeping-TXRF功能”、可进行晶圆边缘附近测量的“ZEE-TXRF功能”等多种功能，可提供强大的污染检测能力我们为您提供半导体大规模生产工艺和工艺开发的控制。

采用转子式高输出X射线发生器和新设计的入射X射线单色仪，直接TXRF测量方法实现了10 8 个原子/cm 2
的过渡金属LLD水平。它可实现相同的精度和高通量，测量时间仅为封闭式 X 射线管的 1/3。采用1目标3光束法这是一种**方法，使用3种分光晶体提取*适合测量元素的单色X射线束，并用它来激发污染物元素。用于测量轻元素的W-Mα射线不会激发Si，因此可以分析Na、Mg和Al。从Na到U连续进行高精度自动分析。通过消除衍射线，将散射线的影响降至*低。采用抑制高次反射的光学系统和XY-θ驱动台，并使用自动X射线入射方向选择功能，消除来自基板的衍射线并防止干扰您可以用*少的测量进行高信噪比测量。可以对整个晶圆表面进行**且高精度的微量分析。坐标可以链接到异物检查坐标数据，可以将来自异物检查设备的坐标数据导入到TXRF设备中，并且可以在存在颗粒的位置进行污染物元素分析。滴水轨迹搜索功能采用独特的算法，需要快速、准确的坐标。晶圆表面内的高速污染物筛选“扫描-TXRF功能”直接TXRF方法可以对整个晶圆表面进行高速测量，以明确污染物元素的分布。可以在短时间内对整个晶圆表面进行污染分析，而传统的代表性坐标测量（例如表面内的 5 或 9 个点）无法检测到这种情况。只需30分钟即可完成200mm晶圆整个表面5×10 10 个原子/cm 2的污染检测。除了污染元素的分布之外，还可以通过对整个表面的测量值进行积分来计算晶片表面内的平均污染浓度。边缘排除 0mm 非破坏性、非接触式污染测量“ZEE-TXRF 功能”实现晶圆边缘附近的高灵敏度测量，这是以前使用 TXRF 方法无法测量的。现在可以使用 TXRF 对污染集中的边缘区域进行污染分析。兼容各种CIM/FA可以与主机进行SECS 通信，并且兼容各种CIM/FA。除了开放式盒式磁带外，它还兼容 SMIF POD

产品名称	TXRF 3760
方法	全内反射 X 射线荧光 (TXRF)
目的	从 Na 到 U 的元素分析来测量晶圆污染
技术	带无液氮检测器的 3 束 TXRF 系统
主要成分	适用于*大 200 mm 晶圆的 XYθ 样品台系统、真空晶圆机器人传输系统、ECS/GEM 通信软件
选项	Sweep TXRF 软件（允许绘制晶圆表面污染物分布图以识别“热点”；ZEE-TXRF 功能允许进行零边缘排除的测量）
控制（电脑）	内部 PC、MS Windows® 操作系统
机身尺寸	1000（宽）×1760（高）×948（深）毫米
大量的	100公斤（本体）
电源	三相 200 VAC 50/60 Hz，100 A