产品名称：NAPSON纳普森电阻率薄层电阻测量系统

产品特性和功能

多点多点测量

非接触式非接触式

电脑和软件

全自动全自动型

非接触式涡流法。 测量无损坏

• 适用于硅晶圆、GaP 和 InP 等化合物半导体的生产控制
• 电阻测量仪
  ，种类繁多，有多种类型的非接触式探头（探头数量和探头类型可根据要求更改）
• 从 8 mm 的边缘进行多点测量
• 测量模式可编程和 2-D/3-D 映射软件
• 配备一个盒式工作站，提高工作效率（测量后存放在同一槽中）

※可选：配备额外的晶圆厚度测量探头

测量规格

测量目标

• 半导体和太阳能电池材料（硅、多晶硅、碳化硅等）
• 化合物半导体（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）

目标大小

3~8寸

测量范围

[电阻率] 1m~200Ω·cm （*所有探头类型的总量程/500um厚度）
[片状电阻] 10m~3kΩ/sq （*所有探头类型的总量程）
[厚度] 150~1,200μm

*每种探头类型的测量范围请参考以下内容。
（1）低：0.01~0.5Ω/□（0.001~0.05Ω·cm）
（2）中：0.5~10Ω/□（0.05~0.5Ω·cm）
（3）高：10~1,000Ω/□（0.5~60Ω·cm）
（4）S-高：1,000~3,000Ω/ □（60~200Ω·cm）