产品详情
  • 产品名称:THERMOCERA日本晶圆级石墨烯合成器

  • 产品型号:nanoCVD-WPG
  • 产品厂商:THERMOCERA日本K.K
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简单介绍:
晶圆尺寸的热CVD/等离子CVD系统 基板尺寸:Φ3inch或Φ4inch ◉ 型号。 nanoCVD-WG (热CVD) ◉ 型号。 nanoCVD-WGP(等离子CVD)
详情介绍:

nanoCVD-WG“CVD法”(化学气相沉积)

CVD法是一种稳定的技术,已经建立起来用于多种用途,是未来考虑石墨烯和碳纳米管大规模合成时*现实的方法。 开发商Moorfield Nanotechnology与英国国家研究所合作,反复验证了这种沉积实验装置。 在研究机构的合作下,已经验证了利用拉曼光谱、SEM、AFM等分析数据可以生产出高质量的石墨烯和CNT Mr./Ms.。
 

nanoCVD-WPG“等离子体增强型CVD”

反应迅速,杂质被抑制。 它是一种更快、高通量的CVD合成方法,可在等离子体的帮助下获得清洁、高质量的石墨烯。

特征

 

  • 紧凑型设计:590 (W) x 590 (D) x 1050 (H) mm
  • Φ3英寸或Φ4英寸晶圆级石墨烯合成
  • 13.56MHz RF 150W 等离子电源(典型值)
  • PCB加热阶段 *大1100°C
  • 冷壁法热CVD
  • 全自动PLC自动顺序控制
  • 用户友好的 7 英寸触摸屏 HMI
  • 多沉积配方配准,手动/自动操作

参考规格

*本设备为定制产品。 我们将在讨论规格后提出建议。
以下设备配置仅供参考。

A. 主要规格

1.反应室室

适用于 MiniLab-026 26l 容积 SUS304 水冷式

2.加热阶段

陶瓷(氧化铝或氮化铝,BN)

3. 对应样本量

Φ3英寸或Φ4英寸

4.加热阶段(带隔热罩)

C/C复合或SiC涂层加热器 *高1100°C

5.温度控制

包括K型热电偶标准(安装在加热阶段下方)

 

B. 过程控制设备规格

1.气体控制

多达 4 个质量流量控制器(Ar、H2、CH4 等)

2.压力控制

20托尔 F.S.

3.真空排气

Edwards 涡轮分子泵 nEXT85D

包括 Edwards 干涡旋泵 nXDS10i(10m³/hr)

4.操作面板

前置 7 英寸触摸屏

5.风冷

用于机柜内部冷却的冷却风扇

6.控制系统

PLC自动过程控制

 

C. 软件(标准附件)

1. IntelliDep nanoCVD 软件

包括标准(安装石墨烯的标准程序)

2. 接口

USB 2.0 连接

3. 设置数量

*多可编程和保存 30 个配方,30 个步骤

4. 用于 Windows PC 连接的 IntelliLink 远程软件

 

D. 进气口连接规格

1. 工艺气体

3 x Ar、H2、CH4 1/4“ 世伟洛克管连接

2.载气

N2,或氩φ6mm推锁管连接 x 1

 

E. **装置

1.过热

由加热级安装热电偶控制

2. 机柜内部过热

从内部热开关

3.气压异常

来自质量流量控制器

4.降低真空度

来自真空传感器

 

F. 公用事业

权力

AC200V 单相 50/60Hz 13A

1. 工艺气体压力

*大 30psi 200sccm

2.载气压力

60-80磅/平方英寸

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