产品详情
简单介绍：
沟槽栅场截止型(trench-gate field-stop)IGBT：**代（美蓓亚三美）
详情介绍：
产品选型
| 型号 | 产品资料 |
集电极/发射极耐压 VCES [V] |
集电极电流 IC [A] |
饱和电压 VCE(sat) @Tj=25deg C 标准 [V] |
饱和电压 VCE(sat) @Tj=25deg C 上限 [V] |
门极电压 VGES [V] |
阈值电压 VGE(th) 下限 [V] |
阈值电压 VGE(th) 上限 [V] |
芯片尺寸 X [mm] |
芯片尺寸 Y [mm] |
键合温度 Tj [℃] |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMJ65A0A00xx | MMJ65A0A00xx_E.pdf |
650
|
100
|
1.50
|
1.80
|
-30~30
|
5.00
|
6.80
|
7.80
|
7.80
|
-40~175
|
| MMJ65A5A00xx | MMJ65A5A00xx_E.pdf |
650
|
150
|
1.50
|
1.80
|
-30~30
|
5.00
|
6.80
|
9.30
|
9.30
|
-40~175
|
| MMJ65B0A00xx | MMJ65B0A00xx_E.pdf |
650
|
200
|
1.50
|
1.80
|
-30~30
|
5.00
|
6.80
|
10.60
|
10.60
|
-40~175
|
| MMJ65A0A02xx | MMJ65A0A02xx_E.pdf |
650
|
100
|
1.30
|
1.60
|
-30~30
|
5.00
|
6.80
|
7.80
|
7.80
|
-40~175
|
| MMJ65A5A02xx | MMJ65A5A02xx_E.pdf |
650
|
150
|
1.30
|
1.60
|
-30~30
|
5.00
|
6.80
|
9.30
|
9.30
|
-40~175
|
| MMJ65B0A02xx | MMJ65B0A02xx_E.pdf |
650
|
200
|
1.30
|
1.60
|
-30~30
|
5.00
|
6.80
|
10.60
|
10.60
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-40~175
|
| MMJC575A01xx | MMJC575A01xx_E.pdf |
1250
|
75
|
1.85
|
2.15
|
-30~30
|
5.00
|
6.80
|
7.90
|
7.90
|
-40~175
|
| MMJC5A0A01xx | MMJC5A0A01xx_E.pdf |
1250
|
100
|
1.85
|
2.15
|
-30~30
|
5.00
|
6.80
|
8.80
|
8.80
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-40~175
|
| MMJC5A5A01xx | MMJC5A5A01xx_E.pdf |
1250
|
150
|
1.85
|
2.15
|
-30~30
|
5.00
|
6.80
|
10.50
|
10.50
|
-40~175
|
| MMJC5B0A01xx | MMJC5B0A01xx_E.pdf |
1250
|
200
|
1.85
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2.15
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-30~30
|
5.00
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6.80
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11.90
|
11.90
|
-40~175
|
特点
现场停止沟槽栅极IGBT，集电极饱和电压低，短路能力强，开关损耗低
版本
标准
用途
工业设备、逆变器、焊接机、不间断电源
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