MINEBEA美蓓亚 IGBT裸片MR系列IGBT小电流 MMJ6525B00xx 北崎国际贸易（北京）有限公司

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简单介绍：

三美(Mitsumi)的IGBT/FRD（裸芯片）可用于各种高电压、大电流的产品，利用模拟半导体器件制造过程中开发的各种技术，可为提高效率和节约能源作出贡献。

详情介绍：

产品选型

型号	产品资料	集电极/发射极耐压　VCES [V]	集电极电流　IC [A]	饱和电压 VCE(sat) @Tj=25deg C 标准 [V]	饱和电压 VCE(sat) @Tj=25deg C 上限 [V]	门极电压　 VGES [V]	阈值电压 VGE(th) 下限 [V]	阈值电压 VGE(th) 上限 [V]	芯片尺寸 X [mm]	芯片尺寸 Y [mm]	键合温度 Tj [℃]
MMJ6512B00xx	MMJ6512B00xx_E.pdf	650	12	1.65	1.95	-30~30	4.00	6.00	2.70	2.70	-40~150
MMJ6515B00xx	MMJ6515B00xx_E.pdf	650	15	1.65	1.95	-30~30	4.00	6.00	2.90	2.90	-40~150
MMJ6525B00xx	MMJ6525B00xx_E.pdf	650	25	1.60	1.90	-30~30	4.00	6.00	3.38	3.38	-40~150
MMJ6530C00xx	MMJ6530C00xx_E.pdf	650	30	1.80	2.10	-30~30	4.50	6.50	3.60	3.60	-40~150
MMJ6535C00xx	MMJ6535C00xx_E.pdf	650	35	1.85	2.15	-30~30	4.50	6.50	3.77	3.77	-40~150

特点

现场停止沟槽栅极IGBT，集电极饱和电压低，短路能力强，开关损耗低

版本

标准

用途

工业设备、逆变器、焊接机、不间断电源

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